2SA1298 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1298
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内容描述：	高直流电流增益： hFE参数= 100 320低饱和电压VCE （SAT） = -0.4V （最大值） [High DC current gain: hFE = 100 320 Low saturation voltage: VCE(sat) = -0.4V(max)]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 60 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

2SA1298

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

特点

+0.1

2.4

-0.1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

= -500毫安，我

= -20毫安）

适用于小型电机驱动阶段

0.55

低饱和电压： V

CE （ SAT ）

= -0.4V （最大）

+0.1

1.3

-0.1

高直流电流增益：H

= 100 320

0.4

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

小型封装

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-30

-25

-5

-800

-160

200

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

CBO

EBO

Testconditons

= -30 V，I

= 0

= -50 V，I

= 0

-25

-5

100

320

-0.4

-0.5

120

-0.8

兆赫

民

典型值

最大

-0.1

单位

ìA

（ BR ） CEO

= -10毫安，我

= 0

（ BR ） EBO

= -0.1毫安，我

= 0

= -1 V，I

= -100毫安

CE （SAT）

= -500毫安，我

= -20毫安

= -1 V，I

= -10毫安

= -5 V，I

= -10毫安

= -10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

分类

记号

的hFE

100

200

160

320

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

0-0.1

4008-318-123

1 1

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