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2SA1252 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SA1252
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内容描述: 高VEBO 。宽的ASO和对击穿的高耐久性。 [High VEBO. Wide ASO and high durability against breakdown.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 114 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SA1252
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
高V
EBO
.
宽的ASO和对击穿的高耐久性。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
-60
-50
-15
-150
-300
200
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
Ic
BO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= -40V ,我
E
= 0
V
EB
= -10V ,我
C
= 0
V
CE
= -6V ,我
C
= -1mA
V
CE
= -6V ,我
C
= -1mA
V
CB
= -6V , F = 1MHz的
90
100
3.5
-0.5
-60
-50
-15
典型值
最大
-0.1
-0.1
560
兆赫
pF
V
V
V
V
单位
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= -50mA ,我
B
= -5mA
V
( BR ) CBO
I
C
= -10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= -1mA ,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= -10ìA ,我
C
= 0
h
FE
分类
记号
的hFE
90
D4
180
D5
135
270
D6
200
400
D7
300
600
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
0-0.1
4008-318-123
1 1