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2SA1163 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SA1163
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内容描述: nullHigh电压。小型封装。高的hFE 。低噪音。 [nullHigh voltage. Small package. High hFE. Low noise.]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 86 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
DIP
TYPE
SMD型
SMD
TYPE
晶体管
IC
晶体管
晶体管
产品speci fi cation
2SA1163
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
高电压。
+0.1
2.4
-0.1
小包装。
高的hFE 。
低噪声。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
特点
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-120
-120
-5
-100
-20
150
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -120 V,I
E
= 0
V
EB
= -5 V,I
C
= 0
V
CE
= -6 V,I
C
= -2毫安
200
典型值
最大
-0.1
-0.1
700
-0.3
100
4
1.0
10
V
兆赫
pF
dB
单位
ìA
ìA
V
CE (SAT)
I
C
= -10毫安,我
B
= -1毫安
f
T
C
ob
NF
V
CE
= -6 V,I
C
= -1毫安
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CB
= -6 V,I
C
= -0.1毫安, F = 1千赫,R
g
=10 kÙ
h
FE
分类
记号
的hFE
CG
GR
200 400
CL
BL
350 700
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
1 1