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型号: 2SA1037
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内容描述: 优秀的hFE线性度。 PNP硅晶体管集电极 - 基极电压VCBO -60 V [Excellent hFE linearity. PNP silicon transistor Collector-base voltage VCBO -60 V]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 78 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SA1037
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
1
2
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
PNP硅晶体管
0.55
优秀的hFE线性度。
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-60
-50
-6
-0.15
0.2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
I
C
=-50
I
C
=-1mA
I
E
=-50ìA
V
CB
=-60V
V
EB
=-6V
A
Testconditons
-60
-50
-6
-0.1
-0.1
-0.5
120
4.0
140
560
5.0
pF
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
V
V
CE ( SAT )
I
C
/I
B
=-50mA/-5mA
h
FE
C
ob
f
T
V
CE
= -6V ,我
C
=-1mA
V
CB
= -12V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
V
CE
= -12V ,我
E
= 2毫安, F = 30MHz的
h
FE
分类
记号
h
FE
FQ
Q
120½270
FR
R
180½390
FS
S
270½560
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1