2N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N60
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内容描述：	RDS（ON） = 3.8 VGS = 10V。低栅极电荷（典型值9.0 NC）。低的Crss （典型值5.0 pF的）。 [RDS(ON) = 3.8 VGS = 10V. Low gate charge ( typical 9.0 nC). Low Crss ( typical 5.0 pF).]
分类和应用：	栅极
文件页数/大小：	2 页 / 250 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD

TYPE

DIP型

MOSFET

产品speci fi cation

2N60

电气特性TA = 25

参数

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

最大连续漏源二极管

正向电流

最大脉冲漏源二极管正向

当前

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

* 1.脉冲测试：脉冲宽度

300μS ，占空比

符号

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

测试Conditons

= 0 V，I

= 250 ìA

= 600 V, V

= 0 V

= 480 V ，T

= 125

= 30 V, V

= 0 V

= -30 V, V

= 0 V

= V

, I

= 250 ìA

2.0

3.8

2.25

270

= 25 V, V

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

= 300 V，I

= 2.4 A，R

= 25

--------

*1,2

= 480 V，I

= 2.4A ，V

= 10 V------

*1,2

1.6

4.3

= 0 V，I

= 2.0 A

= 0 V，I

= 2.4 A,

/ DT = 100 A / S * 1

180

0.72

1.4

350

民

600

100

-100

4.0

5.0

典型值

最大

单位

DS （ ON）

= 10 V，I

= 1 A

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= 50V ，我

= 1 A * 1

* 2。基本上是独立的工作温度。

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