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型号: 2N3906
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内容描述: PNP硅外延平面晶体管的开关和放大器应用 [PNP silicon epitaxial planar transistor for switching and Amplifier applications]
分类和应用: 晶体开关放大器晶体管PC
文件页数/大小: 1 页 / 66 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2N3906
特点
切换PNP硅外延平面晶体管和
扩增fi er应用
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温和存储温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
等级
-40
-40
-5
-0.2
0.625
-55到150
单位
V
V
V
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
BO
Ic
EO
I
EBO
IC = -100 μA
IC = -1毫安
I
E
= -100 ìA
Testconditons
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
-40
-40
-5
-0.1
-50
-0.1
100
60
30
-0.4
-0.95
35
35
225
75
250
兆赫
ns
V
V
ns
400
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
nA
ìA
V
CB
= -40 V,I
E
=0
V
CE
= -40 V , V
BE (OFF)的
=-3V
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
= -10mA
直流电流增益
h
FE
V
CE
= -1V ,我
C
= -50mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -100mA
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
跃迁频率
V
CE ( SAT )
I
C
= -50毫安,我
B
= -5mA
V
BE ( SAT )
I
C
= -50毫安,我
B
= -5mA
t
d
t
r
t
s
t
f
f
T
V
CC
=-3.0V,V
BE
=0.5V
I
C
=-10mA,I
B1
=-1.0mA
V
CC
=-3.0V,I
C
=-10mA
I
B1
=I
B2
=-1.0mA
V
CE
= -20V ,我
C
= -10mA , F = 100MHz的
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4008-318-123
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