欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

1N6263W 参数 Datasheet PDF下载

1N6263W图片预览
型号: 1N6263W
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 低正向压降保护环构建适应瞬态保护 [Low Forward Voltage Drop Guard Ring Constuction for Transient Protection]
分类和应用: 二极管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 58 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
1N6263W
SOD-123
+0.1
2.7
-0.1
+0.1
0.55
-0.1
单位:mm
+0.05
1.1
-0.05
低正向压降
保护环构建适应瞬态保护
快速开关时间
低反向电容
表面贴装封装ldeally适合自动插入
+0.05
0.1
-0.02
+0.1
3.7
-0.1
0.1max
0.50
0.35
绝对最大额定值大= 25
Paramater
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
DC阻断Volatge
RMS反向电压
正向连续电流
非重复性峰值正向浪涌电流@ T
1.0s
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
F
I
FSM
P
d
I
θJA
T
j
T
英镑
42
15
50
2.0
333
300
-55〜 + 125
-55到+ 150
V
mA
mA
A
mW
/W
60
V
价值
单位
@ T = 10毫秒
功率耗散(注1)
热阻,结到环境空气(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
注意:
安装在FR- 4电路板与建议焊盘布局1.部分。
电气特性TA = 25
特征
反向击穿电压(注2 )
反向漏电流(注2 )
正向电压降(注2 )
总电容
反向恢复时间
注意:
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
符号
V
( BR )R
I
RM
V
FM
C
T
TRR
测试条件
I
R
= 10
A
60
200
0.41
1.00
2.0
1.0
pF
ns
典型值
最大
单位
V
nA
V
V
R
= 50 V
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 0V , F = 1.0 MHz的
I
F
=I
R
= 5.0毫安
内部收益率= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100
记号
记号
SB
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
+0.1
1.6
-0.1
特点