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1N5822 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N5822
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内容描述: 高电流能力,低正向压降低功耗,高效率 [High current capability ,low forward voltage drop Low Power Loss, High Efficiency]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 145 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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产品speci fi cation
1N5820 -1N5822
DO-201AD
特点
高电流能力,低正向电压降
低功耗,高效率
高浪涌能力
尺寸以英寸(毫米)
绝对最大额定值大= 25
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流* 1 @ T
L
= 95
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
正向电压* 2
@ I
F
=3.0A
@ I
F
= 9.4A
峰值反向漏电流@ T
A
= 25
在额定阻断电压DC * 2 @ T
A
= 100
典型热阻* 3
工作和存储温度范围
R
R
JA
JL
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
1N5820
1N5821
1N5822
单位
20
30
40
V
14
21
3.0
80
28
V
A
A
V
FM
0.475
0.850
0.500
0.900
2.0
20
40
10
-65至125
0.525
0.950
V
I
RM
mA
/W
/W
T
j
, T
英镑
* 1 。测定在室温下,在从壳体的距离9.5毫米。
* 2 。短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
* 3 。从结热阻引领垂直PCB安装, 0.500"设计(9.5mm )导线长度2.5× 2.5"
( 63.5 X 63.5毫米)铜焊盘。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
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