1N5711WS 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N5711WS
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内容描述：	低正向压降保护环结构瞬态Prote [Low Forward Voltage Drop Guard Ring Construction for Transient Prote]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	1 页 / 58 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

1N5711WS

SOD-323

+0.1

1.7

-0.1

单位：mm

特点

低正向压降

保护环结构瞬态Prote

开关速度快

低电容

表面贴装封装ldeally适合自动插入

0.475

+0.1

2.6

-0.1

+0.05

0.3

-0.05

+0.05

0.85

-0.05

1.0max

0.375

绝对最大额定值大= 25

Paramater

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

DC阻断Volatge

RMS反向电压

正向连续电流

功率耗散（注1）

热阻，结到环境空气（注1 ）

工作和存储温度范围

存储温度范围

注意：

安装在FR- 4印刷电路板与建议焊盘布局1.部分。

符号

RRM

RWM

R（ RMS ）

θJA

英镑

150

650

-55〜 + 125

-55到+ 150

价值

单位

电气特性TA = 25

特征

反向BreakdownVoltage （注2 ）

反向漏电流（注2）

正向电压降（注2 ）

总电容

反向恢复时间

注意：

2.测与我

= 10 mA时，我

= 0.1 ×1

, R

= 100

符号

（ BR ）R

测试条件

= 10

民

200

0.41

1.00

2.0

1.0

典型值

最大

单位

= 50 V

= 1.0毫安

= 15毫安

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

= 5.0毫安

内部收益率= 0.1 ×1

, R

= 100

记号

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

+0.05

0.1

-0.02

+0.1

1.3

-0.1

1 1

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