1N5177W 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N5177W
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内容描述：	低正向压降保护环构建适应瞬态保护 [Low Forward Voltage Drop Guard Ring Constuction for Transient Protection]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 57 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

1N5177W

SOD-123

+0.1

2.7

-0.1

+0.1

0.55

-0.1

单位：mm

+0.05

1.1

-0.05

低正向压降

保护环构建适应瞬态保护

快速开关时间

低反向电容

+0.05

0.1

-0.02

+0.1

3.7

-0.1

0.1max

0.50

0.35

绝对最大额定值大= 25

Paramater

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

DC阻断Volatge

RMS反向电压

最大正向电流

功率耗散（注1）

热阻，结到环境空气（注1 ）

工作温度范围

存储温度范围

注意：

安装在FR- 4电路板与建议焊盘布局1.部分。

符号

RRM

RWM

R（ RMS ）

价值

单位

333

300

-55〜 + 125

-55到+ 150

英镑

电气特性TA = 25

特征

反向击穿电压（注2 ）

反向漏电流（注2 ）

正向电压降（注2 ）

总电容

反向恢复时间

注意：

2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。

符号

（ BR ）R

TRR

测试条件

= 10

民

200

0.41

1.00

2.0

1.0

典型值

最大

单位

= 50 V

= 1.0毫安

= 15毫安

= 0V ， F = 1.0 MHz的

= 5.0毫安

内部收益率= 0.1 ×1

, R

= 100

记号

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 1

+0.1

1.6

-0.1

特点

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

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