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1N4755A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N4755A
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内容描述: 1.0瓦功耗标准VZ公差为5绝对最大额定值大= 25℃ [1.0 Watt Power Dissipation Standard VZ Tolerance is 5 Absolute Maximum Ratings Ta = 25C]
分类和应用: 二极管测试
文件页数/大小: 2 页 / 207 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
 浏览型号1N4755A的Datasheet PDF文件第2页  
产品speci fi cation
DO-41
特点
1.0瓦功耗
标准的V
Z
容差为5 %
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
0.205 (5.2)
0.160 (4.1)
1.0 (25.4)
分钟。
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
尺寸以英寸(毫米)
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
齐纳电流
正向电压@ I
F
= 200毫安
功耗
T
A
= 50Ω (注1 )
减免上述50 ℃
热阻 - 结到环境空气
工作和存储温度范围
R
thJA
T
J
.T
英镑
符号
I
Z
V
F
P
D
等级
P
D
/ V
Z
1.2
1.0
6.67
175
-65〜 200
单位
mA
V
W
毫瓦/ °
℃/W
注: 1。安装在5.0毫米
2
( 0.013毫米厚)土地面积。
电气特性TA = 25 ℃
公称
齐纳
电压
@ I
ZT
, V
Z
V
1N4755A
43
测试电流
I
ZT
mA
6.0
最大齐纳阻抗
最大反向
泄漏
当前
I
R
μA
5
V
R
V
32.7
最大浪涌
当前
8.3ms
I
ZS
mA
110
典型
温度
Coeffizient的
@ I
ZT
%/℃
0.06吨Ø 0.095
部分号码
Z
ZT
@ I
ZT
Ω
70
Z
ZK
@ I
ZK
Ω
1500
IZK
mA
0.25
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
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