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    2SC5069 参数 Datasheet PDF下载

    2SC5069图片预览
    型号： 2SC5069
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高电流容量。通过MBIT过程。高直流电流增益。 [High current capacity. Adoption of MBIT process. High DC current gain.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 291 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
     浏览型号2SC5069的Datasheet PDF文件第2页  
    SMD Type
    SMD Type
    Transistors
    IC
    Product specification
    2SC5069
    Features
    High current capacity.
    Adoption of MBIT process.
    High DC current gain.
    Low collector-to-emitter saturation voltage.
    High V
    EBO
    .
    Absolute Maximum Ratings Ta = 25
    Parameter
    Collector-base voltage
    Collector-emitter voltage
    Emitter-base voltage
    Collector current
    Collector current (pulse)
    Base Current
    Collector dissipation
    Junction temperature
    Storage temperature
    * Mounted on ceramic board(250mm
    2
    X0.8mm).
    Symbol
    V
    CBO
    V
    CEO
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    I
    B
    P
    C *
    T
    j
    T
    stg
    Rating
    30
    25
    15
    2
    4
    0.4
    1.5
    150
    -55 to +150
    Unit
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 of 2

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