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    2SC4390 参数 Datasheet PDF下载

    2SC4390图片预览
    型号： 2SC4390
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通过MBIT过程。高直流电流增益（HFE = 800〜 3200 ） 。 [Adoption of MBIT process. High DC current gain (hFE=800 to 3200).]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 199 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
     浏览型号2SC4390的Datasheet PDF文件第2页  
    SMD Type
    SMD Type
    Transistors
    Transistors
    IC
    IC
    IC
    Product specification
    2SC4390
    Features
    Adoption of MBIT process.
    High DC current gain (h
    FE
    =800 to 3200).
    Large current capacity (I
    C
    =2A).
    Low collector-to-emitter saturation voltage
    (V
    CE(sat)
    0.3V).
    15V).
    High V
    EBO
    (V
    EBO
    Absolute Maximum Ratings Ta = 25
    Parameter
    Collector-base voltage
    Collector-emitter voltage
    Emitter-base voltage
    Collector current
    Collector current (pulse)
    Base current
    Collector dissipation
    Junction temperature
    Storage temperature
    Symbol
    V
    CBO
    V
    CEO
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    I
    B
    P
    C
    T
    j
    T
    stg
    Rating
    20
    10
    15
    2
    4
    0.4
    500
    150
    -55 to +150
    Unit
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mW
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 of 2

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