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    2SB1124 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1124图片预览
    型号： 2SB1124
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 [Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage.]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 2 页 / 111 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
     浏览型号2SB1124的Datasheet PDF文件第2页  
    Product specification
    2SB1124
    Features
    Adoption of FBET, MBIT processes.
    Low collector-to-emitter saturation voltage.
    Fast switching speed.
    Large current capacity and wide ASO.
    Absolute Maximum Ratings Ta = 25
    Parameter
    Collector-base voltage
    Collector-emitter voltage
    Emitter-base voltage
    Collector current
    Collector current (pulse)
    Collector dissipation
    Jumction temperature
    Storage temperature
    Symbol
    V
    CBO
    V
    CEO
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    stg
    Rating
    -60
    -50
    -6
    -3
    -6
    500
    150
    -55 to +150
    Unit
    V
    V
    V
    A
    A
    mW
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
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