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MMBT3906_10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBT3906_10
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内容描述: 为350mW , PNP小信号晶体管 [350mW, PNP Small Signal Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 377 K
品牌: TSC [ TAIWAN SEMICONDUCTOR COMPANY, LTD ]
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MMBT3906
为350mW , PNP小信号晶体管
小信号二极管
电气特性
类型编号
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极基极截止电流
发射基地截止电流
I
C
= -10μA
I
C
= -1mA
I
E
= -10μA
V
CB
= -30V
V
EB
= -6V
V
CE
= -1V
V
CE
= -1V
直流电流增益
V
CE
= -1V
V
CE
= -1V
V
CE
= -1V
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
增益带宽积
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE
= -20V
V
CB
= -5V
Vcc=-3V
I
C
= -10mA
I
C
= -50mA
I
C
= -10mA
I
C
= -50mA
I
C
= -10mA
I
E
=0
VBE=-0.5V
I
C
= -0.1mA
I
C
= -1mA
I
C
= -10mA
I
C
= -50mA
I
C
= -100mA
I
B
= -1mA
I
B
= -5mA
I
B
= -1mA
I
B
= -5mA
F = 100MHz的
F = 1MHz的
Ic=-10mA
I
B1
=-1.0mA
Vcc=-3V
Ic=-10mA
I
B1
=I
B2
=-1.0mA
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
h
FE
I
E
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
-40
-40
-5
-
-
60
80
100
60
30
-
-
-0.65
-
250
-
-
-
-
-
-0.25
-0.4
-0.85
-0.95
-
4.5pF
35
35
225
75
nS
nS
nS
nS
兆赫
V
V
300
最大
-
-
-
-50
-50
单位
V
V
V
nA
nA
磁带&卷轴规格
TSC标签
顶盖带
Carieer胶带
任何额外的标签(如果需要)
P0
d
T
A
C
B
F
W
P1
E
载波宽度
载体长度
运营商深度
链轮孔
卷筒外径
卷内径
进料孔宽
Sprocke孔位
打孔的位置
Sprocke孔距
浮雕中心
总体胶带厚度
胶带宽度
卷筒宽度
符号
A
B
C
d
D
D1
D2
E
F
P0
P1
T
W
W1
外形尺寸(mm )
3.15 ±0.10
2.77 ±0.10
1.22 ±0.10
1.50 ± 0.10
178 ± 1
55敏
13.0 ± 0.20
1.75 ±0.10
3.50 ±0.05
4.00 ±0.10
2.00 ±0.05
0.229 ±0.013
8.10 ±0.20
12.30 ±0.20
W1
D
D2
D1
进给方向
版本: C10