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MMBT3904 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3904图片预览
型号: MMBT3904
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内容描述: 0.2瓦NPN塑封装晶体管 [0.2 Watts NPN Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 134 K
品牌: TSC [ TAIWAN SEMICONDUCTOR COMPANY, LTD ]
 浏览型号MMBT3904的Datasheet PDF文件第2页  
MMBT3904
Pb
RoHS指令
合规
0.2瓦NPN塑封装晶体管
SOT-23
特点
互补型, PNP晶体管
MMBT3906建议
外延平面片建设
标记:上午01点
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
类型编号
T
A
= 25℃ ,除非另有规定
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
电气特性
价值
60
40
6
0.2
0.2
单位
V
V
V
A
W
参数
集电极 - 基极击穿电压
I
C
=为10uA ,我
e
=0
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 1mA时,我
B
=0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
=为10uA ,我
C
=0
集电极截止电流
V
CB
= 60V我
E
=0
集电极截止电流
V
CE
=30V V
BE
(off)=3V
发射极截止电流
V
EB
= 5V I
C
=0
直流电流增益
V
CE
= 1V我
C
=10mA
V
CE
= 1V我
C
=50mA
V
CE
= 1V我
C
=100mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
跃迁频率V
CE
= 20V我
C
= 10毫安F = 100MHz的
延迟时间
V
CC
=3V V
BE
= 0.5V我
C
=10mA
上升时间
I
B1
=
I
B2
=1.0mA
贮存时间
V
CC
= 3V I
C
=10mA
下降时间
I
B1
=
I
B2
=1.0mA
工作和存储温度范围
分类
h
FE1
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
BE(上)
I
CBO
I
首席执行官
I
EEO
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
td
tr
ts
tf
60
40
6
最大
单位
V
V
V
uA
nA
uA
100
60
30
0.1
50
0.1
400
0.3
0.95
250
35
35
200
50
-55到+ 150
T
J
, T
英镑
Y
200-300
V
V
兆赫
nS
nS
nS
nS
o
C
范围
O
100-200
G
300-400
版本: A07