RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (BC856
A,B/
BC857A,B,C/ BC858A,B,C)
FIG.7- COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
AS A FUNCTION OF COLLECTOR CURRENT;
TYPICAL VALUES.
FIG.8- BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE AS A
FUNCTION OF COLLECTOR CURRENT;
TYPICAL VALUES.
I
C
/ I
B
=20
I
C
/ I
B
=20
-1000
O
-55 C
T
amb
=
-10000
-1200
-1000
-800
V
CEsat
(mV)
V
BEsat
(mV)
T
am
25
T
amb
=
-100
O
150 C
b
=
O
T
amb
=
O
25 C
-600
C
T
am
-400
O
0 C
= 15
b
O
5 C
= -5
T
amb
-200
-10
-0.1
-1
-10
I
C
(mA)
-100
-1000
0
-0.1
-1
-10
I
C
(mA)
-100
-1000
1000
FIG.9- DC CURRENT GAIN AS A FUNCTION OF
COLLECTOR CURRENT; TYPICAL VALUES.
T
a
mb
=
-1200
FIG.10- BASE-EMITTER VOLTAGE AS A FUNCTION OF
COLLECTOR CURRENT; TYPICAL VALUES.
800
150
O
C
V
CE
= -5V
-1000
V
CE
= -5V
O
-55 C
T
amb
=
-800
600
V
BE
(mV)
h
FE
T
am
= 2
O
5 C
b
O
25 C
T
amb
=
-600
400
T
amb
= -55
O
C
200
-400
T
amb
O
0 C
= 15
-200
0
-0.01
-0.1
-1
I
C
(mA)
-10
-100
-1000
0
-0.01
-0.1
-1
I
C
(mA)
-10
-100
-1000
-10000
FIG.11- COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
AS A FUNCTION OF COLLECTOR CURRENT;
TYPICAL VALUES.
I
C
/ I
B
=20
-1200
FIG.12- BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE AS A
FUNCTION OF COLLECTOR CURRENT;
TYPICAL VALUES.
I
C
/ I
B
=20
-1000
T
amb
=
-1000
-800
O
T
amb
= 150 C
O
-55 C
V
CEsat
(mV)
V
BEsat
(mV)
T
amb
=
O
25 C
-600
-100
T
amb
O
C
= 25
T
amb
-400
O
5 C
= -5
O
0 C
= 15
T
amb
-200
-10
-0.1
-1
-10
I
C
(mA)
-100
-1000
0
-0.1
-1
-10
I
C
(mA)
-100
-1000
Version:
B07
TSC [ TAIWAN SEMICONDUCTOR COMPANY, LTD ]
