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IRF840 参数 Datasheet PDF下载

IRF840图片预览
型号: IRF840
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内容描述: 功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS ( ON) = 0.85欧姆, ID = 8.0 A) [Power MOSFET ( VDSS = 500V, RDS(on) = 0.85 ohm, ID = 8.0 A )]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 152 K
品牌: TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]
   
IRF840
功率MOSFET
V
DSS -
500V ,R
DS ( ON)
= 0.85欧姆,我
D
= 8.0 A
D
G
S
N沟道
在电气及特征
符号
TJ = 25℃最高。除非另有说明,否则
符号
参数
漏源击穿电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
栅极阈值电压
测试条件
V
DS
= 500V
DC
, V
GS
= 0V
DC
V
DS
= 400V
DC
, V
GS
= 0V
DC
TJ = 125℃
V
GS
= +20V
DC
V
GS
= -20V
DC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
价值
500
典型值
最大
单位
伏特
µA
nA
nA
伏特
V
( BR ) DSS
V
GS
= 0 V
DC ,
I
D
= 250µA
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1300
310
120
14
49
23
20
-
25
250
100
-100
4.0
0.85
63
9.3
3.2
静态漏极至源极导通 - 阻抗R
DS ( ON)
V
GS
= 10V
DC
, I
D
= 4.8A
栅极电荷
门源费
栅漏电荷
输入电容
输出电容
传输电容
打开延迟时间
关闭延迟时间
上升时间
下降时间
连续源电流
脉冲源电流
正向电压(二极管)
Q
G
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
(上)
td
(关闭)
tr
tf
I
S
I
SM
V
SD
V
GS
= 0V
DC
, I
S
= 8.0A , TP = 300μS
V
DD
= 250V
DC
, I
D
= 8.0A ,R
G
= 9.1
R
D
= 31
V
DS
= 25V
DC
, V
GS
= 0V
DC
中,f = 1.0MHz的
I
D
= 8.0A
V
DS
= 400V
DC
,
V
GS
= 10V
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
A
A
V
-
-
-
-
-
-
-
8.0
32
2.0
-
-
-
最大额定值
参数
栅极至源极电压
漏极至源极
电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功率Dissapation
热阻
(结到环境)
( TJ = 25℃除非另有说明)
符号条件
V
GS
V
DSS
I
D
I
DM
P
D
R
号(j -a)的
(T
A
= 25 C)
价值
+/- 20V
500
8.0
32
125
62
单位
伏特
伏特
AMP
AMP
W
C / W
最大工作温度范围( TJ ) -55〜 + 150℃
最大存储温度范围( TSTG ) -55〜 + 150℃
机械尺寸
暗淡
a
b
c
d
e
f
g
h
j
k
m
n
p
尺寸
单位为毫米
英寸
最大
最大
10.29
2.62
6.10
3.54
14.84
13.47
1.15
1.15
3.550
4.20
1.22
2.64
0.48
0.69
10.54
2.87
6.47
3.78
15.24
14.09
1.400
2.54
4.06
4.69
1.32
2.92
0.55
0.93
0.405
0.103
0.240
0.139
0.584
0.530
0.045
0.045
0.140
0.165
0.048
0.104
0.018
0.027
0.415
0.113
0.255
0.149
0.600
0.555
0.055
0.100
0.160
0.185
0.052
0.115
0.022
0.037
d
c
b
a
m
n
4
e
k
h
f
r
j
j
箱体TO -220 - AB胶
p
q
1 2
3
g
1 - GATE
2 & 4 - 漏
3 - 来源
q
r