T1P3003028-SP
30W, 28V , 500 MHz的- 2GHz的,脉冲, POWERBAND
TM
pHEMT的射频功率晶体管
电气特性
推荐工作条件适用,除非另有规定ED : TA = 25 ℃。
表3.直流特性
参数
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
击穿电压门源
击穿电压栅极 - 漏极
表4.射频特性
参数
增益@的P1dB ,为500MHz - 2GHz的
( VDS = 28 V , POUT = 30W, IDD = 400 mA)的
P1dB的, 500MHz的- 2GHz的
( VDS = 28 V , POUT = 30W, IDD = 400 mA)的
功率附加ê FFI效率,为500MHz - 2GHz的
( VDS = 28 V , POUT = 30W, IDD = 400 mA)的
收益
( VDS = 28 V , POUT = 40 W, IDQ = 400 mA)的
输出功率
( VDS = 28 V , 1 dB压缩, IDQ = 400 mA)的
排水ê FFI效率
( VDS = 28 V , POUT =的P1dB , IDQ = 400 mA)的
耐用性
( VDS = 28 V , POUT = 40 W, IDQ = 400 mA时, F = 500 MHz时,
驻波比= 3 :1,所有的角度)
符号
G
P1dB
—
民
—
—
—
典型值
10
30
45
最大
—
—
—
单位
dB
W
%
功能性测试,
瞬时带宽100US , 10 % (经过测试,在TriQuint公司的宽带测试夹具)
符号
IDSS
Gm
VP
VBGS
VBGD
民
—
—
-1.5
-40
-45
典型值
4000
3300
-1
—
—
最大
—
—
-0.6
-30
-35
单位
mA
mS
V
V
V
功能性测试,
窄带RF性能100US , 10 % ( 2GHz的)
G
P1dB
—
—
—
—
—
12
40
55
—
—
—
dB
W
%
没有退化的输出功率。
初步数据表
如有变更,
www.triquint.com/powerband