T1L2003028-SP
30W， 28V ， 500 MHz的- 2 GHz时， POWERBAND
TM
LDMOS RF功率晶体管
介绍
该T1L2003028 - SP是一个POWERBAND
TM
离散LDMOS ，
增强型射频功率晶体管设计工作
从为500MHz到2GHz的宽带线路。该装置具有一个
跨30瓦特瞬时带宽宽的P1dB输出功率
当在TriQuint的宽波段测试操作的整个频带
fi
夹具。该T1L2003028 -SP也可以在窄带用AP-
并发症和额定功率为45Watts的P1dB为2GHz 。
图1.可用的软件包
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
符号
Rθ JC
价值
1.3
单位
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
总功耗在Tc = 25℃ ：
T1L2003028-SP
减免上述25° C：
T1L2003028-SP
工作结温
存储温度范围
—
TJ
TSTG
0.77
200
–65, +150
W / ℃，
°C
°C
PD
135
W
符号
VDSS
VGS
ID
价值
65
–0.5, +15
4.25
单位
VDC
VDC
ADC
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏
年龄到设备。这些都是绝对压力额定值只。功能操作
该设备没有在这些或任何其他条件超过所给出暗示
在数据表中的业务部门。暴露在绝对最大
长时间收视率产生不利一个FF ECT设备的可靠性。
表3. ESD额定值*
T1L2003028-SP
HBM
MM
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
特点
- 从卓越的瞬时带宽宽的表现
为500MHz - 2GHz的
- 加强电子FFI效率产生显着的优势
- 更小，更轻的系统
- 降低系统组件成本
- 减少能源消耗
- 典型的性能额定值
- 宽波段的500MHz - 2GHz的
（如TriQuint公司宽带测试夹具）
- 10分贝增益
- 45 ％E FFI效率
- 30Watt的P1dB
- 窄带高达2GHz
■ 14分贝增益
- 59 ％E FFI效率
- 45Watt的P1dB
清洁发展机制
*虽然静电放电（ESD ）保护电路的设计
此设备，适当的预防措施，必须注意避免接触ESD和
在所有的处理，装配和测试操作的电气过应力（ EOS ） 。
杰尔采用人体模型（HBM ） ，机器模型（ MM）和一
充电装置模型（CDM） ，以便确定对外贸易资质科幻阳离子需求
静电敏感性限制和保护设计评估。 ESD电压阈值
依赖于在每个模型中使用的电路参数，如德音响奈德
由JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和JESD22- C101A （CDM）的
标准。
注意事项：
MOS器件容易受到由静电荷的损害。
在处理合理的预防措施和包装MOS器件
应当观察。
初步数据表
如有变更，
www.triquint.com/powerband
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
