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T1G6003028-FSEVB1图片预览
型号: T1G6003028-FSEVB1
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内容描述: 30W , 28V ,特区的???? 6 GHz的氮化镓射频功率晶体管 [30W, 28V, DC – 6 GHz, GaN RF Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 13 页 / 1305 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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T1G6003028-FS
30W , 28V , DC - 6 GHz的氮化镓射频功率晶体管
应用
军用雷达
民用雷达
专业和军事电台
通讯
测试仪表
宽带或窄带放大器
干扰器
产品特点
频率: DC到6GHz
输出功率( P3dB ) :在6 GHz 30瓦
线性增益: >14分贝在6GHz
工作电压: 28 V
低热阻封装
功能框图
1
2
概述
TriQuint的T1G6003028 -FS是一个30 W( P
3dB
)
对SiC HEMT其运作独立的GaN
从DC到6GHz 。该装置构造
与TriQuint的探明0.25
µm
过程,这
功能先进的场板技术
优化功率和效率高的漏
偏置工作条件。这种优化
可以在以下方面可能降低系统成本
更少的放大器阵容和较低的热
管理成本。
无铅并符合RoHS标准
评估板可根据要求提供。
引脚配置
针#
1
2
轮缘
符号
VD / RF OUT
VG / RF IN
来源
订购信息
材料NO 。
1080206
1093989
产品型号
T1G6003028-FS
T1G6003028-FS-
EVB1
描述
包装的一部分:
5.4-5.9 GHz的
EVAL 。板
ECCN
EAR99
EAR99
数据表: B版2012年9月12日
© 2012 TriQuint半导体
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