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    T1G6000528-Q3-EVB3 参数 Datasheet PDF下载

    T1G6000528-Q3-EVB3图片预览
    型号： T1G6000528-Q3-EVB3
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    内容描述： 7W ， 28V ，特区的???? 6 GHz的氮化镓射频功率晶体管 [7W, 28V, DC – 6 GHz, GaN RF Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管射频
    文件页数/大小： 16 页 / 1629 K
    品牌： TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号T1G6000528-Q3-EVB3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号T1G6000528-Q3-EVB3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号T1G6000528-Q3-EVB3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号T1G6000528-Q3-EVB3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T1G6000528-Q3-EVB3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号T1G6000528-Q3-EVB3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号T1G6000528-Q3-EVB3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号T1G6000528-Q3-EVB3的Datasheet PDF文件第9页  
    T1G6000528-Q3
    7W ， 28V ， DC - 6 GHz的氮化镓射频功率晶体管
    应用
    •宽带和窄带国防和
    商用通信系统
    - 通用射频功率
    - 干扰器
    •雷达
    - 专业无线电系统
    - WiMAX的
    - 宽带放大器
    •测试仪表
    - 蜂窝基础设施
    可用软件包
    产品特点
    •频率： DC到6GHz
    •线性增益： >10分贝在6GHz
    •工作电压： 28 V
    •输出功率（P
    3dB
    ） ：在6 GHz >7 W¯¯
    •无铅并符合RoHS标准
    •低热阻封装
    包装信息
    套餐类型
    Q3
    描述
    5.0mm x 4.0mm ceramic air
    腔直引线封装
    BASE
    粗磨
    概述
    The TriQuint T1G6000528-Q3 is a 7 W (P
    3dB
    ）离散
    GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6 GHz
    和通常提供>10分贝增益在6 GHz 。该
    设备与TriQuint的行之有效的0.25建造
    微米制作工艺，它的特色是
    场板技术来优化功率和艾菲
    效率在高漏极偏压的工作条件。这
    在优化中可以潜在地降低系统成本
    少放大器阵容和较低的热条件
    管理成本。
    订购信息
    材料NO 。
    1075579
    1081733
    产品型号
    T1G6000528-Q3
    T1G6000528-Q3-
    EVB3
    描述
    包装的一部分
    窄带
    3.0 to 3.5 GHz
    评价
    板
    ECCN
    EAR99
    EAR99
    公布数据：启示录ķ 2011年8月11日
    ©2011 TriQuint半导体
    –1–
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