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    T1G4005528-FS-EVB1 参数 Datasheet PDF下载

    T1G4005528-FS-EVB1图片预览
    型号： T1G4005528-FS-EVB1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 55W ， 28V ，特区的???? 3.5GHz的，氮化镓射频功率晶体管 [55W, 28V, DC – 3.5GHz, GaN RF Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管射频
    文件页数/大小： 4 页 / 830 K
    品牌： TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号T1G4005528-FS-EVB1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号T1G4005528-FS-EVB1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号T1G4005528-FS-EVB1的Datasheet PDF文件第4页  
    T1G6001528-Q3
    DC - 6 GHz的18瓦的GaN RF功率晶体管
    应用
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    通用RF功率
    干扰器
    军事和民用雷达
    专业和军事无线电系统
    宽带放大器器
    测试仪表
    航空电子学
    产品特点
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    •
    频率： DC到6GHz
    输出功率（ P3dB ） ：在6 GHz 18瓦
    线性增益： >10分贝在6GHz
    工作电压： 28 V
    低热阻封装
    功能框图
    1
    2
    概述
    TriQuint的T1G6001528 -Q3是一个18瓦（ P3dB ）
    对SiC HEMT独立的GaN它工作于DC
    到6 GHz和通常提供>10分贝增益在6 GHz 。
    该器件采用TriQuint公司成熟的0.25建造
    μm
    过程中，它的特色是场板
    技术，以在高优化功率和效率
    漏极偏置工作条件。这种优化可以
    在较少的计算潜在地降低系统成本
    放大器阵容和较低的热管理成本。
    无铅并符合RoHS标准
    评估板可根据要求提供。
    引脚配置
    针＃
    1
    2
    轮缘
    符号
    VD / RF OUT
    VG / RF IN
    来源
    订购信息
    产品型号
    T1G6001528-Q3
    T1G6001528 -Q3 EVB1
    初步数据表：版本 - 一个2011年6月14日
    © 2011 TriQuint半导体
    -
    1 15
    ECCN
    EAR99
    EAR99
    描述
    封装晶体管
    5-6 GHz的评估板
    免责声明：如有更改，恕不另行通知
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