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CMH192 参数 Datasheet PDF下载

CMH192图片预览
型号: CMH192
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内容描述: 砷化镓MMIC [GaAs MMIC]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 270 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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砷化镓MMIC
满链 - LNA /下变频器特性(续)
CMH192
测试条件:
T
A = 25 ℃;
V
DD = 2.7V ,
P
LO = -7 dBm时,
PRF = -22 dBm的,女
RF = 1960兆赫,
f
LO
= f
RF
- f
IF
, f
IF = 210MHz时钟频率下, LOS = GND , HIGH = VDD
典型值
最大
模式 - 高增益,低电流
总工作电流
转换增益
噪声系数
输入IP3
LNA的输入IP3
模式 - 低增益( LNA旁路)
总工作电流
转换增益
噪声系数
(1)
(1)
单位
mA
dB
dB
DBM
DBM
17
23.5
1.8
-5.5
7.5
典型值
12
7.2
11.5
最大
单位
mA
dB
dB
DBM
输入IP3
11.5
1 )假设3.0分贝损失图像滤镜,值是基于增益测量计算
LNA和下变频器
真值表
控制电压
经营模式
高增益线性&
高增益,低电流
低增益
增益CTL
H
H
L
只有RCV
H
L
L
CMH192 - 数据( 10月1日
st
, 2002)
p
g.
4/11