AH420
频率（MHz）
信道功率
功率增益
输入回波损耗
输出回波损耗
ACPR
P1dB
输出IP3
在为27dBm /音，间隔为1MHz
4W高线性度的InGaP HBT放大器
920-960 MHz的参考设计（ AH420 - EPCB900 ）
W- CDMA 3GPP测试模型1 + 64 DPCH ， PAR = 10.2分贝@ 0.01 ％的概率， 3.84 MHz带宽
在25℃典型的W-CDMA的性能
920
940 960单位
+27 +27 +27 dBm的
15.9
16
16.1
dB
17
14
11
dB
5.3
6.4
8.0
dB
-47 -46.5 -46.5 dBc的
35.2 35.2 35.2 dBm的
+51
6.5
+50
6.6
800
+5
C7
C8
+49
6.7
DBM
dB
mA
V
噪声系数
静态电流，ICQ
VPD ， Vcc的
D1
FB1
C22
R3
C3
C5
C4
C6
C2
C1
R1
C14
C17
C13
C15
C12
注意事项：
1.
初级射频微带线是50
Ω.
2.
不要超过VPD和VCC或5.5V的损害会发生D1 。
3.
在丝网印刷，但不是在原理图中显示的组件不被使用。
4.
VPD用于设备掉电（低= RF关闭）
5.
C13的边缘被放置在75mil从AH420 RFOUT销。 （ 3.9
o
@ 940兆赫）
6.
C15的边缘被放置145mil从C13的边缘。 （ 7.5
o
@ 940兆赫）
7.
C14的边缘被放置在150mil从AH420 RFIN销。 （ 7.7
o
@ 940兆赫）
8.
C17的边缘放置针对C14的边缘。
9.
0
Ω
跳线可以换成铜迹线中的目标应用程序。
回波损耗
0
-5
T=25°C
增益与频率
18
T=25°C
R2
R4
L1
OIP3与输出功率/音与温度的关系
F = 940 MHz的
55
17
50
OIP3 （ dBm的）
S11 ，S22 （ dB）的
增益（dB ）
-10
-15
-20
16
45
15
40
S11
S22
+25°C
-40°C
+85°C
14
0.90
0.92
0.94
0.96
0.98
-25
0.90
35
0.92
0.94
频率（GHz ）
T=25°C
0.96
0.98
20
22
频率（GHz ）
ACPR与输出平均功率与频率的关系
T=25°C
24
26
输出功率（dBm ）
28
30
OIP3与输出功率/音调与频率的关系
52
的P1dB与频率与温度的关系
37
-35
-40
ACPR （ DBC）
W- CDMA 3GPP测试模型1 + 64 DPCH
PAR = 10.2分贝@ 0.01 ％概率
3.84 MHz带宽
OIP3 （ dBm的）
50
36
48
-50
-55
-60
920兆赫
940兆赫
960兆赫
P1dB的（ DBM）
-45
35
46
34
44
920兆赫
42
940兆赫
960兆赫
29
30
+25°C
33
920
930
-40°C
940
频率（MHz）
T=25°C
+85°C
950
960
-65
15
16
17
18
19
20
21
22
输出功率（dBm ）
T=25°C
23
24
25
24
25
26
27
28
输出功率（dBm ）
电流与输出平均功率与频率的关系
1100
集电极电流（毫安）
8
噪声系数与频率的关系
T=25°C
效率与输出平均功率与频率的关系
20
集热效率（ ％ ）
1050
1000
950
900
920兆赫
850
24
25
26
27
28
输出功率（dBm ）
29
30
940兆赫
960兆赫
7
15
NF（ dB）的
6
10
5
5
920兆赫
940兆赫
960兆赫
29
30
4
0.90
0
0.92
0.94
0.96
0.98
24
25
频率（GHz ）
26
27
28
输出功率（dBm ）
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第8 4 2009年8月
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
