AGR 26125 ê
125瓦， 2.5千兆赫， 2.7千兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
200
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
=
400
µA)
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 400 µA)
门静态电压（V
DS
= 28 V，I
D
= 1300毫安）
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 1 A)
表5. RF特性
参数
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
（这部分内部匹配的输入和输出）。
共源放大器功率增益*
C
RSS
—
3.0
—
pF
符号
民
典型值
最大
UN I T
开关特性
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
G
FS
米
65
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
9
—
3.8
0.08
最大
—
4
200
12
—
4.8
—
—
单位
VDC
μAdc
μAdc
S
VDC
VDC
VDC
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
（以
杰尔系统提供的测试治具）
功能测试（在
提供的测试治具）
漏极效率*
G
PS
η
IM3
ACPR
IRL
—
—
—
—
输入回波损耗*
相邻通道功率比*
（ACPR测量的3.84 MHz的@ F1在BW - 5兆赫
和f2 + 5兆赫）
功率输出， 1 dB压缩点
(V
DD
= 28 V，F
C
= 2600.0兆赫， 6 μs的脉冲在10 ％占空比）
三阶互调失真*
（ IMD3测量了3.84 MHz带宽@ F1 - 10 MHz的
和f2 + 10兆赫）
—
11.5
–38
–41
–15
20
—
—
—
—
dB
dBc的
dBc的
dB
W
%
P
1dB
ψ
—
125
—
—
输出失配应力
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 125 W（ CW ） ，我
DQ
= 1300毫安，女
C
= 2600.0兆赫
驻波比= 10 ：1; [所有相位角] ）
没有退化的输出功率。
* 3GPP W-CDMA中，典型的P / 8.5分贝0.01％的CCDF A比例中，f1 = 2590.0兆赫，和f2 = 2600兆赫。 V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1300毫安，并
P
OUT
= 20瓦的魅力。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
