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型号: AGR26125EU
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内容描述: 125瓦, 2.5千兆赫, 2.7千兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET [125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管电子
文件页数/大小: 9 页 / 367 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AG R261 25E
125瓦, 2.5千兆赫, 2.7千兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET
典型性能特性
(续)
60
55
功率(dBm ) , PAE ( % )一
50
45
40
35
30
25
20
2500
IRL
P1dB
收益
PAE
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
2700
增益(dB ) , IRL (分贝)z
45
40
35
IM5
30
25
20
15
10
5
0
1000
2550
2600
频率, MHzA
2650
图4. CW宽带性能
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
IM3
dBcZ
IM7
1
10
POUT ( W, PEP )z
100
测试条件:
双音测量@ 10 MHz的音调间隔,V
DD
= 28伏直流, F1 = 2590兆赫, F2 = 2600兆赫。
图5.双音IMD与电源