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AGR21090EU 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AGR21090EU
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内容描述: 90 W, 2.110 GHz的- 2.170 GHz的, N沟道电子模式,横向MOSFET [90 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管电子放大器
文件页数/大小: 9 页 / 402 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR21090E
90 W, 2.110 GHz的- 2.170 GHz的, N沟道电子模式,横向MOSFET
典型性能特性
(续)
20.00
18.00
16.00
14.00
增益(dB )z
12.00
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
2100
2110
2120
2130
2140
2150
2160
IRL
IM3
ACPR
2170
收益
50.0
40.0
20.0
10.0
0.0
-10.0
-20.0
-30.0
-40.0
-50.0
2180
IM3 ( DBC) , ACPR ( dBc的)z
30.0
(%) ,IRL (分贝) ,
频率(MHz )z
测试条件:
V
DD
28伏直流电,P
OUT
= 19 W,I
DQ
= 800 mA的电流。
2载波W-CDMA的3GPP峰值对平均值= 8.5 dB的0.01%的CCDF , 10MHz的间隔,3.84兆赫棉铃虫。
图8.宽带性能
+5
-0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
CENTER 2.140 GHz的
跨度为50MHz
测试条件:
V
DD
28伏直流电,P
OUT
= 19 W,I
DQ
= 800 mA的电流。
2载波W-CDMA的3GPP峰值对平均值= 8.5 dB的0.01%的CCDF , 10MHz的间隔,3.84兆赫棉铃虫。
F1
F2
IM3
IM3
ACPR
ACPR
图9.频谱图