AGR21045EF
45 W， 2.110 GHz的- 2.170 GHz的， N沟道电子模式，横向MOSFET
数据表
电气特性
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
开关特性
门源漏电流（V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
= 50 µA)
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 200µA
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
G
FS
65
—
—
—
—
—
—
3.2
2
75
5
—
—
μAdc
μAdc
S
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极漏电流（V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
基本特征
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 A)
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 150 µA)
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 A)
门静态电压（V
DS
= 28 V，I
D
= 400 mA）的
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
V
GS （ Q）
2.8
3.0
—
3.4
3.8
4.8
4.6
—
VDC
VDC
VDC
0.22
表5. RF特性
参数
反向传输电容
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
（这部分内部匹配的输入和输出）。
共源放大器功率增益*
三阶互调失真*
（测量IM3失真超过3.84 MHz带宽@ F1 - 10 MHz的
和f2 + 10兆赫）
相邻通道功率比*
（ACPR测量的3.84 MHz的@ F1在BW - 5兆赫
和f2 + 5兆赫）
输入回波损耗*
功率输出， 1 dB压缩点
(V
DD
= 28 V，F
C
= 2140.0兆赫）
漏极效率*
符号
动态特性
C
RSS
—
1.0
—
pF
民
典型值
最大
单位
功能测试（在
提供的测试治具）
杰尔系统提供的测试治具）
G
PS
η
IM3
ACPR
IRL
13.5
24
—
14.5
–33
–37
–12
47
26
—
—
dB
dBc的
dBc的
dB
W
%
–32
–35
–9
—
—
—
P1dB
ψ
42
输出失配应力
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 45 W（ CW ） ，我
DQ
= 400毫安，女
C
= 2140.0兆赫
驻波比= 10 ：1; [所有相位角] ）
没有退化的输出功率。
* 3GPP W-CDMA中，典型的P / 8.5分贝0.01％的CCDF A比例中，f1 = 2135兆赫，和f2 = 2145兆赫。 V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 400 mA和
P
OUT
= 10瓦的魅力。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
