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    AGR19125EF 参数 Datasheet PDF下载

    AGR19125EF图片预览
    型号： AGR19125EF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 125瓦， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管 [125 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管过程控制系统PCS放大器局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 369 K
    品牌： TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AGR19125EF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AGR19125EF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AGR19125EF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AGR19125EF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AGR19125EF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AGR19125EF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AGR19125EF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AGR19125EF的Datasheet PDF文件第9页  
    AGR19125E
    125瓦， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
    典型性能特性
    （续）
    140.0
    P
    OUT
    输出功率（ W）
    ,
    效率（ ％）S
    0.0
    -5.0
    -10.0
    -15.0
    IRL
    -20.0
    -25.0
    -30.0
    IRL ，输入回波损耗
    （分贝）S
    120.0
    100.0
    80.0
    60.0
    40.0
    20.0
    0.0
    效率
    P
    OUT
    0.00
    1.00
    2.00
    3.00
    4.00
    5.00
    6.00
    P
    IN
    ，输入功率（W ）S
    测试条件：
    V
    DD
    = 28 V，I
    DQ
    = 1250毫安， F = 1960兆赫。
    图4.输出功率和效率与输入功率
    16.00
    I
    DQ
    = 1500毫安
    GPS，功率增益（分贝）S
    15.00
    I
    DQ
    = 1250毫安
    I
    DQ
    = 900毫安
    14.00
    13.00
    12.00
    1.00
    10.00
    100.00
    1000.00
    P
    OUT
    输出功率（W ）S
    测试条件：
    V
    DD
    = 28 V ， F = 1960 MHz的CW测量。
    图5.功率增益与输出功率

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