AG R190 90E
90 W， 1930兆赫-1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
0.0
Ð
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
S
拖车
A
RD
0.0
0.49
0.48
±
180
170
U
CT
0.6
Z
0
= 10
Ω
IN
D
90
0.2
0.4
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.8
2.0
3.0
4.0
0.1
0.3
0.5
0.6
0.7
1.6
5.0
10
20
A
D
＆ LT ; d
0.49
RD
L
O
拖车
A
TH
S
-170
EN
G
0.1
-90
0.48
)
/
Yo
（ -JB
CE
0.6
7
0.4
V
EL
WA
＆ LT ; d
-160
-85
AN
PT
CE
US
ES
1.
0
4
0.0
50
-1
-80
V
TI
UC
0.4
0.3
6
IN
D
-75
R
5
0.0
O
),
Zo
5
-70
06
0.
0.6
-60
1.6
0.7
1.4
0.8
0.9
1.0
1.2
5
-5
0
-5
5
-4
兆赫（ F）
1930 (f1)
1960 (f2)
1990 (f3)
注意：
Z
S
Ω
（复
源阻抗）
2.16 – j2.62
2.44 – j2.57
2.49 – j2.76
Z
L
Ω
（复杂最佳负载阻抗）
2.51 – j0.83
2.50 – j0.82
2.38 – j0.80
Z
L
基于增益，输出功率，漏极效率和互调失真之间的折衷选择了。
门（2）
Z
S
漏（1）
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
DUT
输出匹配
图3.系列等效输入和输出阻抗
F
32
0.
18
0.
0
-5
-25
44
0
-65
.5
0.
3
0.3
7
0.1
-30
-60
1.8
0
2.
0.3
0.1
4
6
-3
-70
5
0.35
0.15
0.36
0.14
-80
-4
0
0.37
0.13
0.4
0.2
-90
0.12
0.38
0.11
-100
0.39
CA
P
A
0.1
0.4
-110
CI
T
香港专业教育学院
RE
AC
TA
0.0
0.4
9
1
NC
EC
OM
-12
0
0.0
8
PO
N
0.4
2
EN
T
(-j
-1
4
0.
X/
0.4
40
5.0
0.2
-15
4.0
-20
3.
0
1.
0
Z
S
-10
f3
f1
0.
8
10
Z
L
0.4
20
f3
f1
0.2
50
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
50
0.8
0.
0.2
0.3
-4
0
8
0.6
0.4
10
0.1
-1
20
0.25
0.26
0.24
0.27
0.23
0.25
0.24
0.26
0.23
0.27
REFL
ECTI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
D
EG
R
L
E
OF
EES
昂
I
SSI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
茶
N
SM
D
EGR
EES
L
E
OF
昂
0.2
0.
19
0.
31
50
-20
0.2
2
0.2
8
0.2
9
0.2
1
-30
0.
07
30
0.
43
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
