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AGR19060EU 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AGR19060EU
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内容描述: 60 W, 1930兆赫, 1990兆赫, PCS LDMOS RF功率晶体管 [60 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管过程控制系统PCS放大器
文件页数/大小: 10 页 / 386 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR19060E
60 W, 1930兆赫, 1990兆赫, PCS LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
(续)
-30
-35
-40
ACPR ( dBc的)z
-45
-50
-55
-60
-65
-70
1
10
P
OUT
(W )z
测试条件:
V
DD
= 28伏直流, F1 = 1958.75兆赫, F2 = 1961.25兆赫, 2载波n -CDMA测量。
I
DQ
= 300毫安
I
DQ
= 400毫安
I
DQ
= 500毫安
I
DQ
= 700毫安
I
DQ
= 600毫安
100
I
DQ
= 800毫安
图8. ACPR与P
OUT
-15
-20
-25
IM3 ( DBC)
-30
-35
-40
-45
-50
-55
1
10
P
OUT
(W)
测试条件:
V
DD
= 28伏直流, F1 = 1958.75兆赫, F2 = 1961.25兆赫, 2载波n -CDMA测量。
I
DQ
= 300毫安
I
DQ
= 400毫安
I
DQ
= 500毫安
I
DQ
= 800毫安
I
DQ
= 700毫安
I
DQ
= 600毫安
100
图9. IM3主场迎战P
OUT