AGR19060E
60 W， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管
电气特性
（续）
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
C
= 30 °C.
表4.射频特性
参数
动态特性
C
RSS
—
1.3
—
pF
传输电容
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
（部分是输入和输出内部匹配两者。 ）
功能测试（在
提供的测试治具）
杰尔系统提供的测试治具）
G
PS
14.5 15.5
—
dB
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 12瓦平均，2-载波n -CDMA中，我
DQ
= 700毫安，
F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
漏EF网络效率
η
—
23.5
—
%
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 12瓦平均，2-载波n -CDMA中，我
DQ
= 700毫安，
F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
三阶互调失真
IM3
—
–36
- dBc的
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 12瓦平均，2-载波n -CDMA中，我
DQ
= 700毫安，
F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990 MHz的;
IM3测定在1.2288兆赫积分带宽中心在f1的 - 2.5兆赫
和f2 + 2.5兆赫，参考载波信道功率）
ACPR
- -50.5 - dBc的
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 12瓦平均，2-载波n -CDMA中，我
DQ
= 700毫安，
F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990 MHz的;
ACPR测量在1.2288兆赫积分带宽中心在
为f1 - 2.5兆赫和f2 + 2.5兆赫，参考载波信道功率）
IRL
—
–12
—
dB
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 12瓦平均，2-载波n -CDMA中，我
DQ
= 700毫安，
F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
1 dB增益压缩输出功率
P1dB
60
70
—
W
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 60瓦CW中，f = 1990 MHz的，我
DQ
= 500 mA）的
耐用性
Ψ
在产量不降低
(V
DD
= 28 V ，P
OUT
= 60瓦CW ，我
DQ
= 350 mA时， F = 1930兆赫，
力。
VSWR = 10 ： 1 [所有相位角] ）
符号
民
典型值
最大单位
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
