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AGR19030EF 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AGR19030EF
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内容描述: 30 W, 1930兆赫, 1990兆赫, PCS LDMOS RF功率晶体管 [30 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管过程控制系统PCS放大器局域网
文件页数/大小: 10 页 / 329 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR19030EF
30 W, 1930兆赫, 1990兆赫, PCS LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
(续)
55
50
(%) , EVM (%)
Z
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
600千赫
EVM
25
G
PS
400千赫
-25
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
-75
-80
频谱再生( DBC) ž
频谱再生( DBC) ž
-30
G
PS
(分贝) ,
P
OUT
(W)的Avg.Z
测试条件:
V
DD
= 26伏直流,我
DQ
= 250 mA时, F = 1960 MHz的调制= GSM / EDGE 。
图10. GSM / EDGE的功率增益,漏极效率,频谱再生以及EVM对P
OUT
55
50
(%) , EVM (%)
Z
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
600千赫
EVM
25
G
PS
400千赫
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
-75
-80
G
PS
(分贝) ,
P
OUT
(W)的Avg.Z
测试条件:
V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 250 mA时, F = 1960 MHz的调制= GSM / EDGE 。
图11. GSM / EDGE的功率增益,漏极效率,频谱再生以及EVM对P
OUT