AGR 18060 ê
60 W， 1805兆赫， 1880兆赫， LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
A
RD
U
CT
S
拖车
0.0
Ð
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
170
0.49
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.6
1.8
1.4
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
0.0
A
D
＆ LT ; d
A
RD
L
O
S
拖车
±
180
GTH
-170
L
EN
E
0.2
0.49
0.1
-90
)
/
Yo
（ -JB
CE
Z
L
0.48
0.6
7
0.4
V
WA
＆ LT ; d
-160
-85
N
TA
EP
SC
1.
U
ES
-80
V
TI
UC
4
0.0
0
-15
0.4
0.3
6
-75
-70
06
0.
0
-65
.5
0.6
-60
1.6
0.7
1.4
0.8
1.2
5
-5
0.9
1.0
0
-5
5
-4
兆赫（ F）
1805 (f1)
1842.5 (f2)
1880 (f3)
注意：
Z
S
Ω
（复
源阻抗）
1.76 – j4.18
1.78 – j3.78
1.78 – j3.65
Z
L
Ω
（复杂最佳负载阻抗）
4.65 – j2.50
4.23 – j2.44
3.84 – j2.40
Z
L
基于增益，输出功率，漏极效率和互调失真之间的折衷选择了。
门（2）
Z
S
漏（1）
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
DUT
输出匹配
图3.系列等效输入和输出阻抗
F
32
0.
18
0.
0.3
0.1
3
7
-30
-60
1.8
0
-5
-25
0.
44
0
2.
0.3
0.1
4
6
-3
-70
5
0.35
0.15
0.36
0.14
-80
-4
0
0.37
0.13
0.4
0.2
-90
0.12
0.38
0.11
-100
0.39
CA
P
A
0.1
0.4
-110
CI
T
香港专业教育学院
RE
A
0.0
CT
A
NC
EC
OM
0.4
9
1
-12
0
0.0
8
PO
N
0.4
2
EN
T
(-j
4
-1
0.
0.4
4
X/
0
-20
3.
O
),
Zo
5
5
0.0
0
0.6
Z
S
R
IN
D
-15
0.8
f1
4.0
1.
0
f3
5.0
0.2
0
-10
0.
8
10
f3
f1
0.4
50
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
50
20
0.6
0.4
Z
0
= 10
Ω
0.48
IN
D
90
0.
8
0.25
0.26
0.24
0.27
0.23
0.25
0.24
0.26
0.23
0.27
REFL
ECTI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
D
EG
REES
L
E
OF
昂
I
SSI
ON
COEFFI
CI
EN
T
I
N
茶
N
SM
10
0.1
-1
L
E
OF
昂
20
0.2
0.2
0.3
-4
0
50
D
EGR
EES
-20
0.2
2
0.2
8
0.2
9
0.2
1
-30
0.
31
0.
19
0.
07
30
0.
43
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
