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AGR09130E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AGR09130E
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内容描述: 130 W, 921兆赫, 960兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET [130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 电子
文件页数/大小: 10 页 / 441 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR09130E
130 W, 921兆赫, 960兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET
典型性能特性
(续)
0.00
-10.00
-20.00
IMD dBcZ
-30.00
-40.00
-50.00
-60.00
-70.00
0.00
IM3+/-
IM5+/-
IM7+/-
50.00
功率输出(P
OUT
) WPEPZ
100.00
150.00
200.00
F1 = 940.0兆赫, F2 = 940.1兆赫,V
DD
= 26 V,I
DQ
= 1.0 A,T
F
= 30 °C.
图10. 2音IMD主场迎战宝