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型号: AGR09045E
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内容描述: 45 W, 865兆赫, 895兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET [45 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 电子
文件页数/大小: 7 页 / 310 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR09045E
45 W, 865兆赫, 895兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET
测试电路插图AGR09045E
V
DD
+
C19
V
GG
C26
R3
+
C14
+
R2
C13
C12
C11
C10
C9
C8
Z13
C17
Z1
RF输入
Z3
C27
Z9
Z14
Z10
Z11
Z12
2
1
DUT
3
C4
C6
C5
C7
引脚:
1.漏
2.门
3.源
Z15
C2
C3
C16
C15
Z2
Z4
C1
Z5
Z6
Z7
Z8
R1
Z18
Z17
Z16
FB1
Z22
Z19
Z20
C18
Z21
RF输出
C20
C21
C22
C23
C24
C25
一。原理图
配件清单:
微带线: Z1 0.670英寸x 0.066英寸; 。 Z2 0.035英寸X 0.066英寸; Z3 0.297英寸X 0.050英寸; Z4 0.069英寸X 0.066英寸; Z5 0.538英寸X 0.066英寸;
Z6 0.050英寸X 0.150英寸; Z7 0.797英寸X 0.150英寸; Z8 0.050英寸X 0.440英寸; Z9 0.299英寸X 0.440英寸; Z10 0.050英寸X 0.440英寸;
Z11 0.050英寸X 0.440英寸; Z12 0.494英寸X 0.440英寸; Z13 1.024英寸X 0.050英寸; Z14 0.093英寸X 0.300英寸; Z15 0.050英寸X 0.300英寸;
Z16 0.214英寸X 0.300英寸; Z17 0.050英寸X 0.300英寸; Z18 0.396英寸X 0.300英寸; Z19 0.050 X 0.300 ; Z20 0.808英寸X 0.066英寸;
Z21 0.881英寸X 0.066英寸; Z22 2.048英寸X 0.050英寸
ATC
®
贴片电容: C1 , C8 , C18 , C19 : 47 pF的, 100B470JW ; C2 : 3.3 pF的, 100B3R3BW ; C3 : 5.6 pF的, 100B5R6BW ;
C4,C5 ,C6,C7 :为12pF , 100B120JW ; C9 ,C16, C20:为10pF , 100B100JW ; C15 : 1.8 pF的, 100B1R8BW ; C17 : 6.8 pF的, 100B6R8BW ;
C27 : 8.2 pF的, 100A8R2BW 。
1206尺寸0.25 W,固定薄膜,片式电阻器: R1 : 50 , RM73B2B500J ; R2 : 43 K, RM73B2B433J ; R3 : 1 K, RM73B2B103J 。
村田
®
贴片电容: C12 , C23 : 0.01 μF , GRM40X7R103K100AL 。
0603贴片电容: C10 , C21 : 220 pF的。
斯普拉格
®
片式钽电容: C14 , C25 , C26 : 22 μF , 35 V.
Kreger
®
铁氧体磁珠: FB1 2743D19447 。
基美
®
贴片电容: C13 , C24 : 0.10 μF , C1206C104KRAC7800 。
Vitramon
®
贴片电容: C11 , C22 : 2200 PF, VJ1206Y222KXA 。
Taconic的
®
ORCER RF - 35 :板料, 1盎司铜, 30密耳的厚度,R = 3.5 。
B.组件布局
图2. AGR09045E测试电路