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QPD2731EVB1.0 参数 Datasheet PDF下载

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型号: QPD2731EVB1.0
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内容描述: [2.5 – 2.7 GHz, 110 W / 220 W, 48 V, Asymmetric Doherty]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 1138 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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QPD2731  
2.5 2.7 GHz, 110ꢀWꢀ/ꢀ220ꢀW, 48ꢀV, Asymmetric Doherty  
Thermal and Reliability Information  
Parameter  
Test Conditions  
Value  
Units  
Carrier Amplifier Thermal Resistance at  
Average Power (θJC)  
TCASE = 85°C, TCH = 131°C,  
CW: PDISS = 20.0W, POUT = 28.8W  
2.29  
°C/W  
Notes:  
1. Thermal resistance measured to package backside.  
2. Based on expected carrier amplifier efficiency of Doherty.  
3. POUT assumes 20% peaking amplifier contribution of total average Doherty rated power.  
Median Lifetime  
Median Lifetime vs. Channel Temperature  
1E+19  
1E+18  
1E+17  
1E+16  
1E+15  
1E+14  
1E+13  
1E+12  
1E+11  
1E+10  
1E+09  
1E+08  
1E+07  
1E+06  
1E+05  
25  
50  
75 100 125 150 175 200 225 250 275  
Channel Temperature, TCH (°C)  
- 3 of 11 -  
Rev. A  
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