QPD1013EVB01 参数 Datasheet PDF下载

型号：	QPD1013EVB01
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内容描述：	[150W, 65V, DC â 2.7 GHz, GaN RF Transistor]
分类和应用：
文件页数/大小：	25 页 / 2408 K
品牌：	TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]

QPD1013

150W, 65V, DC – 2.7 GHz, GaN RF Transistor

Mechanical Drawing

Notes:

1- All dimensions are in mm, otherwise noted. Tolerance is ±0.050 mm.

Bias-up Procedure

Bias-down Procedure

1. Set V_Gto -4 V.

1. Turn off RF signal.

2. Set ID current limit to 500 mA.

3. Apply 65 V VD.

4. Slowly adjust VG until ID is set to 240 mA.

5. Set ID current limit to 3 A

6. Apply RF.

2. Turn off VD

3. Wait 2 seconds to allow drain capacitor to discharge

4. Turn off VG

Rev. A

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