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    AGR18125E 参数 Datasheet PDF下载

    AGR18125E图片预览
    型号： AGR18125E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 125 W， 1.805 GHz的- 1.880 GHz的， LDMOS RF功率晶体管 [125 W, 1.805 GHz-1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 358 K
    品牌： TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AGR18125E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AGR18125E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AGR18125E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AGR18125E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AGR18125E的Datasheet PDF文件第6页  
    AGR18125E  
    Product Brief  
    125 W, 1.805 GHz—1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor  
    Typical Performance Characteristics  
    Z0 = 6 Ω  
    RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)  
    f1  
    f3  
    ZL  
    f3  
    f1  
    ZS  
    - 9 0  
    MHz (f)  
    ZS Ω  
    ZL Ω  
    (Complex Source Impedance) (Complex Optimum Load Impedance)  
    865 (f1)  
    880 (f2)  
    895 (f3)  
    0.980 – j2.93  
    0.865 – j2.90  
    0.710 – j2.81  
    2.54 + j0.868  
    2.58 + j0.819  
    2.60 + j0.765  
    DRAIN (1)  
    GATE (2)  
    ZS  
    ZL  
    SOURCE (3)  
    INPUT MATCH  
    OUTPUT MATCH  
    DUT  
    Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances  

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