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型号: AGR09070EF
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内容描述: 70 W, 921兆赫, 960兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET [70 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管电子放大器局域网
文件页数/大小: 8 页 / 348 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR09070EF
70 W, 921 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics
(continued)
20.0
AGR09070EF; V
DD
= 26 V; FREQUENCY = 940.5 MHz
TYPICAL DATA
19.5
I
DQ
= 1000 mA
I
DQ
= 1100 mA
POWER GAIN (dB)Z
19.0
18.5
18.0
I
DQ
= 900 mA
I
DQ
= 800 mA
I
DQ
= 700 mA
17.5
17.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
55 60
P
OUT
(W)Z
50
65
70
75
80
85
90
95 100 105
Figure 4. Power Gain vs. P
OUT
AGR09070EF; FREQUENCY = 940.5 MHz
V
DD
= 26 V; I
DQ
= 800 mA
TYPICAL DATA
-30
-40
MODULATION SPECTRUM (dBc)Z
-50
EDGE FORMAT: 3GPP GSM 05.05
RES BW: 30 kHz
VIDEO BW: 300 Hz
±400 kHz
-60
-70
-80
±600 kHz
-90
-100
30
31
32
33
34
35
36
38
39
P
OUT
(dBm)Z
37
40
41
42
43
44
45
Figure 5. Modulation Spectrum vs. P
OUT