TR我路TECHNOL术，我NC 。 - TECHNI CAL我n对于米ATI上
C
B
D
S
R
VPP1
R
VPP2
R
VNN
C
A
R
HMUTE
D
CH
Q
1
Q
2
R
BASE
R
C
R
关闭
D
P
D
Z
R
BIAS1
R
BIAS2
R
D
D
C
D
BOOT2
R
OUT1
R
OUT2
R
B
C
OUT
旁路电容的内部稳压器提供动力的栅极驱动电路。
MOSFET保护二极管。该二极管吸收任何高频率高于或低于
下冲引起的输出电感器L
O
在高输出电流的条件。
为了使该二极管是有效的，必须直接连接到的漏电
顶侧的MOSFET （引脚2）和底部侧MOSFET的输出端（引脚3 ）和源
（引脚4）和输出端（引脚3）。超快速恢复二极管，可以支撑整个
VCC的电压应在此处使用。因此，一个50V或更大的二极管必须使用。
过压和欠压检测电阻的正电源（VDD） 。请
请参阅电气特性部分为触发点，以及该
滞后带。另外，请参阅在过/欠压保护部分
作内部电路的操作的详细讨论，该应用程序信息
和外部组件的选择。
二次过压和欠压检测电阻器的正电源
（VDD） 。这个电阻占内部V
PPSENSE
偏置为2.5V 。公称
电阻值应等于在于R的
VPP1
。请参考过/欠压
为详细讨论了应用信息电压保护部分
内部电路的操作和外部组件的选择。
未使用的TK2019 。将此引脚连接到AGND通过一个10kΩ电阻。
BIASCAP去耦电容。应靠近引脚1的TC2001和
在TC2001的引脚20接地。
基极电阻以限制从HMUTE端子的电流输出。
二极管保持充电至5V的TPS1035的旁路引脚（引脚7 ），而HMUTE是
高。这个二极管应该是一个肖特基二极管。
PNP晶体管保持TPS1035的旁路引脚（引脚7 ）充电至5V
每当HMUTE高。
PNP晶体管保持HMUTE高，静音放大器，如果5V电源
24V电源之前关闭。如果放大器不能静音， 5V电源
24V电源之前关闭时，放大器将具有可听弹出。
基极电阻用于限制进入基地Q2的电流。
下拉电阻拉Q2的集电极对地，如果两个5V电源和
24V电源已经打开，并且Q2关断。
电阻限制电流从24V电源在进入5.1V的齐纳二极管
(D
Z
).
二极管串联Q2的集电极拉HMUTE高，如果在5V的电源被接通
关闭24V电源之前。
5.1V的齐纳二极管，以保持Q2的发射极到5.1V ，这样，当Q 2为上
HMUTE引脚将不会超过5V 。
偏置电阻偏置FBKGND引脚（引脚2和8 TC2001 ）为2.5V 。通常
使用的值是4.64kΩ 。
第二偏压电阻，以偏置FBKGND引脚（引脚2和引脚8上TC2001 ）为2.5V 。
R的值
BIAS2
当平行放置，其中R
FBB
和R
FBC
应该有
至R等效电阻
BIAS1
。请参阅调制器反馈设计
在应用程序的信息部分段落。一个等价公式是
R
BIAS1
= 1/ (R
FBB
+ R
FBC
) + 1/ R
BIAS2
.
电阻器，以限制到二极管D流过的电流
C
.
二极管到VBOOT销（在TPS1035的引脚5）连接到24V电源，使
在VBOOT引脚充电，而TPS1035静音。这有助于防止
杂音，而睡眠被禁用的TPS1035 。
为VBOOT销（在TPS1035的引脚5） ，以便保护二极管的VBOOT销
绝不会超过6.2V 。
偏置电阻器，以保持输出电容器C
OUT
充电到VDD / 2。通常情况下使用
值为8.45kΩ 。
用于连接R偏置电阻
OUT1
保持输出电容器C
OUT
充电到VDD / 2。通常使用的值是20kΩ的。
用于TPS1035 ，故障引脚（引脚8）的适当操作必须连接到
旁路引脚（引脚7 ）通过27kohm电阻。
输出电容器串联在输出方框直流电流流向输出
负载。该电容可形成一个高通滤波器，输出负载的截止
在频率
f
C
=
1 (2
π
R
I
C
I
)
。其中R是输出负载的电阻值。
TK2019 - MC / 2.1 / 10-03
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TRIPATH [ TRIPATH TECHNOLOGY INC. ]
