三帕特·H Tec的hnol OG Y，I NC 。 - 特Ç HNI CAL我NF ORM的离子
R
S
C
HBR
R
G
D
G
D
BIAS
C
G
R
ISA ，
R
ISB
C
ISA
Q
ISP
Q
ISN
C
Z
Q
P
Q
N
R
Z
L
O
（VPP） 。这个电阻占内部V
PPSENSE
偏置为2.5V 。公称
电阻值应等于在于R的
VPP1
。请参考过/欠压
为详细讨论了应用信息电压保护部分
内部电路的操作和外部组件的选择。
过电流检测电阻。请参考部，设置过电流
阈值时，应用信息中对如何选择价值的讨论
的R
S
以获得一个特定的电流限制跳闸点。
电源去耦的高电流半桥电源引脚。这些组件
必须尽可能靠近输出MOSFET ，以尽量减少输出
振铃导致电源过冲。通过减少超调，这些
电容最大程度地提高了TDA2075A和输出MOSFET的可靠性。这些
电容应具有良好的高频性能，包括低ESR和
低ESL 。此外，该电容器的电容值必须是最大的VPP电压的两倍。
松下EB电容是理想的大容量存储（通常为33uF ） ，由于其
高纹波电流，高频率的设计。
栅极电阻器，它是用来控制MOSFET的上升/下降时间。这个电阻
用来抑制寄生在MOSFET的栅极，其中，反过来，最小化
振铃和输出过冲。典型的额定功率为1/2瓦。
门二极管，它增加了额外的BBM和服务相匹配的不等崛起，
掉落的Q倍
N
和Q
P
。超快二极管至少为200mA的电流额定值
应该被使用。
二极管，保持偏置在适当的电压时，电源的栅极电容器
电压减小。
门电容器交流耦合从高电压的MOSFET的TDA2075A 。
偏置电阻的增加供电电路。
偏置电容的增加供电电路。
为此收取高边栅极电路P沟道双极晶体管
电容，C
G
到VPP ，在的情况下的VPP供给增加的幅度。
对于这些收费低侧栅极电路N沟道双极晶体管
电容，C
G
到VNN ，在的情况下VNN供给增加的幅度。
佐贝尔电容器，其连接R
Z
，终止于高输出滤波器
频率。使用高品质的薄膜电容器能承受的纹波电流
所造成的开关输出。
P沟道功率MOSFET的输出级。
N沟道功率MOSFET输出级的。
佐贝尔电阻器，这在用C一起
Z
，终止于高输出滤波器
频率。 R的组合
Z
和C
Z
最大限度地减少了输出滤波的峰值
下都没有负载条件下或与现实世界的负载，包括扩音器哪个
通常表现出上升的阻抗随着频率的增加。根据不同的
节目素材中，R的额定功率
Z
可能需要进行调整。典型的
额定功率为2瓦。
输出电感，这在用C结合
O
解调器（过滤器）的开关
波形转换成音频信号。形成第二阶滤波器的截止频率
of
f
C
=
1 ( 2
π
L
O
C
O
)
和的一个品质因数
Q
=
R
L
C
O
L
O
C
O
.
输出电容器，其在用L-结合
O
解调器（过滤器）的开关
波形转换成音频信号。形成了一个二阶低通滤波器的截止
频率
f
C
=
1 ( 2
π
L
O
C
O
)
和的一个品质因数
Q
=
R
L
C
O
2 L
O
C
O
.
使用高品质的薄膜电容器能够维持所引起的纹波电流
开关量输出。
这些二极管必须从p沟道MOSFET的任一给排水管连接
n沟道MOSFET的源，或p沟道MOSFET的源极，以
n沟道MOSFET的漏极。该二极管吸收任何高频
过冲引起的输出电感器L
O
在高输出电流的条件。
为了使该二极管是有效的，必须直接连接到两个
的MOSFET。超快恢复二极管，可以维持整个电源电压
应当在这里被使用。在大多数应用中100V或更大的二极管必须使用。
电阻器，变成Q
N
和Q
P
关闭无信号时出现。
下拉电阻的漏极开路故障的电路。
TDA2075A - 修订版0.9 / KLI / 10.05
C
O
D
DS
R
GS
R
FLT
9
TRIPATH [ TRIPATH TECHNOLOGY INC. ]
