TR我路TECHNOL术,我NC 。 - TECHNI CAL我n对于米ATI上
性能特点 - 单端, VS = + 54V
除非另有说明中,f = 1kHz时,测量带宽= 22kHz的。牛逼
A
= 25°C.
见注1 & 2工作条件和测试/应用电路安装。
符号
P
OUT
参数
输出电网
(连续平均/通道)
条件
R
L
= 8
Ω
R
L
= 4
Ω
THD + N = 1% ,
R
L
= 8
Ω
R
L
= 4
Ω
P
OUT
= 55W /声道,R
L
= 8
Ω
19kHz的,为20kHz , 1 :1( IHF )中,R
L
= 4
Ω
P
OUT
= 36W /通道
一个加权,R
L
= 8
Ω
, P
OUT
=140W/Ch
0dBr = 60W ,R
L
= 4
Ω
中,f = 1kHz时
输入参考, 30kHz的Bandw IDþ
P
OUT
= 200W /声道,R
L
= 8
Ω
A计权,没有信号,输入短路,
直流偏移调零到零, BBM =
145nS
THD + N = 0.1% ,
分钟。
典型值。
140
250
150
300
0.04
0.02
101
82
67
92
295
马克斯。
单位
W
W
W
W
%
%
dB
dB
dB
%
µ
V
THD + N
IHF -IM
SNR
CS
PSRR
η
e
NOUT
总谐波失真加
噪音
IHF互调失真
信噪比
声道分离
POW ER电源抑制比
POW ER效率
输出噪声电压
性能特点 - 单端, VS = + 45V
除非另有说明中,f = 1kHz时,测量带宽= 22kHz的。牛逼
A
= 25°C.
见注1 & 2工作条件和测试/应用电路安装。
符号
P
OUT
参数
输出电网
(连续平均/通道)
条件
R
L
= 8
Ω
R
L
= 4
Ω
THD + N = 1% ,
R
L
= 8
Ω
R
L
= 4
Ω
P
OUT
= 55W /声道,R
L
= 8
Ω
19kHz的,为20kHz , 1 :1( IHF )中,R
L
= 4
Ω
P
OUT
= 36W /通道
一个加权,R
L
= 8
Ω
, P
OUT
= 85W /通道
0dBr = 60W ,R
L
= 4
Ω
中,f = 1kHz时
输入参考, 30kHz的Bandw IDþ
P
OUT
= 155W /声道,R
L
= 8
Ω
A计权,没有信号,输入短路,
直流偏移调零到零, BBM = 145nS
THD + N = 0.1% ,
分钟。
典型值。
85
150
100
200
0.04
0.03
100
82
67
92
250
马克斯。
单位
W
W
W
W
%
%
dB
dB
dB
%
µ
V
THD + N
IHF -IM
SNR
CS
PSRR
η
e
NOUT
总谐波失真加
噪音
IHF互调失真
信噪比
声道分离
POW ER电源抑制比
POW ER效率
输出噪声电压
最低及最高限度的保证,但可能不是100 %测试。
注意事项:
1)
2)
V5 = + 5V , VN12 = + 12V参考V
SNEG
测试/应用电路值:
D = MUR120T3二极管,R
IN
= 22.1KΩ
R
D
= 33Ω, R
S
= 0.025Ω,R
G
= 10Ω
R
OCR1
= R
OCR2
= 0Ω, L
F
= 18uH (阿米登核心T200-2 )
C
F
= 0.22uF ,C
D
= 0.1uF的,C
IN
= 1uF的,C
BY
= 0.1uF的
输出功率的MOSFET , M = ST STW38NB20
BBMO = 0, BBM1 = 1
3
TA0103 - 修订版3.3 / 06.00