TR我路TECHNOL术，我NC 。 - TECHNI CAL我n对于米ATI上
电阻，R
OCR
在图6 （在示意图标注R111和R211 ） ，设置过流阈值
用于输出的设备。请注意，这些都不是感测电阻（过电流检测电阻，R
S
,
是在输出级） 。通过调整第r
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电阻值，该阈值时，放大器“之旅”
可以改变的。该过电流跳闸点可以调整（通过改变R中的范围
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）是
通过感测电阻器的值确定。
R
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在此参考板已预先设定为20KΩ为4Ω单端应用程序。对于低阻抗
应用程序（即4Ω桥接） ，该电路板的过流跳闸，可能会提前。这是由所指示的
放大器进入静音;要清晰，切换静音或循环的动力。为了降低过流敏感，
减小R的值
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直到灵敏度达到所期望的水平。 ř
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可被减少，但如果
设置得低的值，这可能导致过电流阈值，它是如此之高，放大器将尝试
驱动电路短路，从而损坏输出FET 。
最后，歇前先（或“ BBM ” ）线用于控制“死区时间”输出FET的。
的“死区时间”，是时间的关断1装置和对面的导通之间的时间段
设备上的同一个信道。如果两个设备都在同一时间，当前“芽通过”
从一个供应至其他的，完全绕过负载。显然，这将有一个很大的影响
放大器的总效率。然而，如果死时间过长，线性度受到影响。该
最佳BBM将设置不同的输出FET ，不同的工作电压，不同的布局改变
和不同的性能要求。出于这个原因，还在Tripath提供了一种手段来调节
BBM0设置，通过跳线J2 ，在3针接头（见图6） 。请注意， BBM1被硬连接到
“0”的RB- TA3020因为与为40ns或更小，将导致在BBM延迟操作的基准板
通过当前的和可能的MOSFET破坏显著拍摄。
这些设置应该在应用程序，以确保在整个温度和负载范围内进行验证
该输出FET和TA3020的任何热上升不会影响放大器的性能。
该放大器板被设置为80ns的，并在下面的表显示了BBM值的各种设置
跳线（图7） 。
BM1
BM0
延迟
0
1
0
1
120nS
80nS
40nS
0nS
J3
0
1)
2)
3)
4)
0
0
1
1
J2
0
1
1
BB
延迟
BBM1
注意：默认
M0
跳线设置为80ns 。
图7
7
RB- TA3020 ，版本3.0 / 03.02
TRIPATH [ TRIPATH TECHNOLOGY INC. ]
