TC3989
REV3_20070503
5.8 GHz的35.5 dBm的Prematched场效应管
特点
•
35.5 dBm的典型功耗为5.8 GHz的
•
关联度高增益：嘎= 8 dB的典型，在5.8 GHz的
•
高线性度： IP3 = 46 dBm的典型5.8 GHz的
•
高功率附加效率： PAE
≥
28 ％的A类操作
•
适用于高可靠性的应用
•
LG = 0.6
µm,
WG = 12毫米
•
100％的DC和RF测试
•
法兰瓷封装
PHOTO扩建
描述
的TC3989是35.5 dBm的部分prematched功率FET装配在凸缘的陶瓷封装。它
需要简单的匹配网络来实现高增益和高线性度为5.8 GHz的应用。所有
设备是100％的直流和射频测试，以保证稳定的质量。
电气规格
V
D
= 10 V，I
D
= 1100毫安， F = 5.8 GHz的
参数
条件
P
-1
*
GA *
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
P
OUT
= 23 dBm的
@ P
-1
V
DS
=2 V, V
GS
=0 V
V
DS
=2 V, V
GS
=0 V
V
DS
= 2 V，I
D
= 24毫安
I
DGO
= 6毫安
18
民
35
7
典型最大单位
35.5
8
46
28
3
2000
-1.7
22
2.5
DBM
dB
DBM
%
A
mS
伏
伏
° C / W
25绝对最大额定值
°
C
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
T
P
in
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续耗散
输入功率， CW
通道温度
储存温度
等级
12 V
-5 V
3A
12 W
33 dBm的
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
* FET被测试在TRANSCOM夹具。
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7路，台南科学工业园区，惺她享，台南县台湾， ROC
网站： www.transcominc.com.tw
电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
P1/3
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