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型号: TC3943
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内容描述: 采用SMT封装0.5W单偏置和Prematched砷化镓功率PHEMTs [0.5W Single-Bias and Prematched GaAs Power PHEMTs using SMT package]
分类和应用: 晶体射频场效应晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 99 K
品牌: TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
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TC3943
REV2_20070503
采用SMT封装0.5W单偏置和Prematched砷化镓功率PHEMTs
特点
Prematched为5〜10千兆赫
0.5W典型输出功率为5 〜 10GHz的
7分贝典型的线性功率增益为10GHz的
高线性度: IP3 = 37 dBm的典型,在5 〜 10GHz的
高功率附加效率: 30 %额定PAE在5〜 10GHz的
击穿电压: BV
DGO
15V
WG = 1.2毫米
100%的直流测试
适用于高可靠性的应用
失去了成本SMT陶瓷封装
PHOTO扩建
描述
该TC3943是单偏见和prematched的GaAs PHEMT 。它被设计用于低成本,高容量,
和5〜10千兆赫0.5W放大器。它提供7分贝和27dBm的P1dB为的一个典型增益为10GHz的。单
正漏极偏压为8V和典型的漏 - 源电流为150mA 。该器件封装在铜
基于陶瓷10引脚表面贴装封装。包装的铜基载体可以直接焊接
该装置到PCB上。
电气规格(T
A
=25℃)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DS
BV
DGO
条件
输出功率1分贝增益压缩点,
f
= 10GHz的V
DS
= 8V
线性功率增益,
f
= 10GHz的V
DS
= 8V
的3截点
rd
阶互调,
f
= 10GHz的V
DS
= 8V , * P
SCL
= 14 dBm的
功率附加效率为1dB压缩功率,
f
= 10GHz的
漏源电流在V
DS
= 8V
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
- 0.6毫安
15
26
6
典型值
27
7
37
30
150
18
最大
单位
DBM
dB
DBM
%
mA
注: * P
SCL
:单载波电平的输出功率。
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园,惺她享,台南县台湾, ROC
网站: www.transcominc.com.tw
电话: 886-6-5050086
传真: 886-6-5051602
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