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型号: TC3938
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内容描述: 包装单偏置中功率的GaAs PHEMT场效应管 [Packaged Single-Bias Medium Power PHEMT GaAs FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 192 K
品牌: TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
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TC3938
REV2_20070503
包装单偏置中功率的GaAs PHEMT场效应管
特点
!
1.0分贝典型噪声系数为12 GHz的
!
关联度高增益:嘎= 8 dB的典型,在12 GHz的
!
24dBm的典型功率在12GHz
!
9分贝典型的线性功率增益为12 GHz的
!
LG = 0.25
µm,
WG = 600
µm
!
100%的直流测试
!
微-X金属陶瓷封装
PHOTO扩建
描述
的TC3938是单偏压介质功率陶瓷微-X封装器件与TC1304 PHEMT砷化镓场效应管,
其目的是提供单一的电源的应用。该装置适用于振荡器,介质
功率放大器在广泛的商业应用。所有器件100 %的直流测试,以确保一致的
质量。
电气规格(T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
P
1dB
G
L
I
DS
R
th
噪声系数在V
DS
= 5 V,
f
在V相关的增益
DS
= 5 V,
f
条件
= 12GHz的
= 12GHz的
7
23
7.5
典型值
1.0
8
24
9
100
65
最大
1.5
单位
dB
dB
DBM
dB
mA
° C / W
输出功率1分贝增益压缩点,
f
= 12GHz的V
DS
= 5 V
线性功率增益,
f
= 12GHz的V
DS
= 5 V
漏源电流在V
DS
= 5 V
热阻
绝对最大额定值(T
A
=25
°
C)
符号
V
DS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
RF输入功率, CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
7.0 V
24 dBm的
600毫瓦
175
°C
-65 ° C到+ 175℃
操作注意事项:
用户必须操作在一个干净,干燥的环境中。
静电放电( ESD )预防措施应
在储存,搬运,装配的各个阶段观察,
和测试。静电放电必须小于300V 。
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园,惺她享,台南县,台湾, ROC
网址:
www.transcominc.com.tw
电话: 886-6-5050086
传真: 886-6-5051602
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