TC3921
REV1_20070503
低成本的单偏置中功率的GaAs PHEMT场效应管
特点
!
在6 GHz 22 dBm的典型输出功率
!
高线性功率增益：摹
L
= 12 dB（典型）在6GHz
!
LG = 0.25
µm,
WG = 300
µm
!
100％的直流测试
!
低成本的塑料SOT143R套餐
描述
PHOTO扩建
的TC3921是单偏压介质功率SOT143R封装器件与TC1201 PHEMT芯片，这是
旨在提供单电源应用。该装置适用于振荡器，介质功率
放大器在广泛的商业应用。所有器件100 ％的直流测试，以确保一致的
质量。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
P
1dB
G
L
I
DS
R
th
线性功率增益，
f
热阻
条件
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 6 GHz的，V
DS
= 5 V
漏源电流在V
DS
= 5 V
= 6GHz的，V
DS
= 5 V
民
21
10
典型值
22
12
40
125
最大
单位
DBM
dB
mA
° C / W
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C)
符号
V
DS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
7.0 V
21 dBm的
300毫瓦
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
操作注意事项：
用户必须操作在一个干净，干燥的环境中。
静电放电（ ESD ）预防措施应
在储存，搬运，装配的各个阶段观察，
和测试。静电放电必须小于
300V.
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
网址：
www.transcominc.com.tw
电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
P1/3
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