TC2696
REV4_20070507
2 W法兰瓷封装的GaAs PHEMT功率场效应
特点
•
2在6 GHz W的输出功率
•
10分贝典型的线性功率增益为6 GHz的
•
高线性度： IP3 = 43 dBm的典型在6GHz
•
高功率附加效率：
43％的标称PAE在6GHz
•
适用于高可靠性的应用
•
击穿电压： BV
DGO
≥
18 V
•
LG = 0.6
µm,
WG = 5毫米
•
VP紧控制范围
•
高RF输入功率处理能力
•
100％的直流测试
PHOTO扩建
•
法兰瓷封装
描述
该TC2696封装与TC1606假晶高电子迁移率晶体管
（ PHEMT ）芯片。凸缘陶瓷封装提供了砷化镓场效应管的最佳热传导性。
所有器件100 ％的直流和射频测试，以保证稳定的质量。典型的应用包括高
动态范围功率放大器商用和军用高性能功率应用。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
条件
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 500毫安
线性功率增益，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 500毫安
的3截点
rd
阶互调，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 500毫安， * P
SCL
= 20 dBm的
功率附加效率为1dB压缩功率，
f
= 6 GHz的
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
15
民
32.5
典型值
33
10
43
43
1.25
850
-1.7**
18
7
最大
单位
DBM
dB
DBM
%
A
mS
伏
伏
° C / W
BV
DGO
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 2.5毫安
R
th
热阻
注： * P
SCL
：单载波电平的输出功率。
**对于的夹断电压范围的严格控制，我们把TC2696到3的型号，以适应客户的设计要求
（ 1 ） TC2696P1519 ： VP = -1.5V至-1.9V （ 2 ） TC2696P1620 ： VP = -1.6V至-2.0V （ 3 ） TC2696P1721 ： VP = -1.7V至-2.1V
如果需要的话，用户可以指定在购买文件的要求。对于特殊要求的副总裁，请与工厂联系获取详细信息。
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
网站： www.transcominc.com.tw
电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
P1/2
TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
